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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
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1 318Auf Lager
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
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743Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Datenblatt
415Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
Datenblatt
6 299Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 230 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 40 C + 150 C 67 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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168Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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242Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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243Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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2 007Auf Lager
5 000erwartet ab 08.10.2026
MouseReel verfügbar
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: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1 245Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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916Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
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491Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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479Auf Lager
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWERNEW
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681Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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243Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 168 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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69Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 125 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
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335Auf Lager
500erwartet ab 06.10.2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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1 079Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 190 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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79Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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163Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 700V 75A TO247-4
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73Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
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2 997erwartet ab 08.10.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 404 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 700V 46A TO247-4
Datenblatt
240erwartet ab 09.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel