Diskrete IGBT7-H7-TRENCHSTOP™-Transistoren von 650 V

Infineon Technologies 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete Transistoren zeichnen sich durch fortschrittliche Technologie- Applikationen aus und erfüllen die Anforderungen an effiziente Energieanwendungen. Die 650 V Transistoren von Infineon Technologies zeichnen sich durch ein hochmodernes Mikrostruktur- Trench-Design für präzise Steuerung und hohe Leistungsfähigkeit aus. Das Design führt zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einen verbesserten Wirkungsgrad und eine verbesserte Leistungsdichte in verschiedenen Branchen, wie z. B. String-Wechselrichter, Energiespeichersysteme (ESS), EV-Ladung, Industrie-USV und Schweißen.