CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

Ergebnisse: 30
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
368Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 13 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
617Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
839Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 26 A 125 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 23 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
303Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
240Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
2 509Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 41 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
7 012Auf Lager
3 000erwartet ab 29.07.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
3 844Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 A 189 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 13.4 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
1 450Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 468 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 5.9 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1 751Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
362Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
875Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 36 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
1 467Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
313Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
2 502Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 13 A 294 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
386Auf Lager
720erwartet ab 09.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
3 910Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 13 A 289 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
314Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
473Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Datenblatt
480Auf Lager
480erwartet ab 01.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 26 A 117 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 21 nC - 55 C + 150 C 115 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
19Auf Lager
25 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Datenblatt
57Auf Lager
2 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
480erwartet ab 08.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
142Auf Lager
240Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Datenblatt
53Auf Lager
960Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 4.7 A 455 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolSiC