SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF-Serie Leistungs-MOSFETS

Die Leistungs-MOSFETS der EF-Serie SiHx28N60EF / SiHx33N60EF von Vishay sind 600V n-Kanal-Leistungs-MOSFETS mit einer schnellen Body-Diode, die für ZVS/Soft-Switching-PWM-Topologien wie phasenverschobene Brücken und LLC-Konverter-Halbbrücken entworfen wurden. Die Leistungs-MOSFETs der EF-Serie SiHx28N60EF / SiHx33N60EF erhöhen die Zuverlässigkeit in diesen Anwendungen durch die Bereitstellung einer 10x niedrigeren Qrr als Standard-MOSFETs. Auf diese Weise sind die Geräte in der Lage, die Fähigkeit zur Blockierung der vollen Durchlassspannung schneller wieder zu erlangen, was dabei hilft, Ausfall durch Durchzündungsfehler sowie thermische Überlastung zu vermeiden. Darüber hinaus führt das reduzierte Qrr zu niedrigeren Sperrerholzeitverlusten im Vergleich zu Standard-MOSFETs. Der sehr geringe On-Widerstand und die sehr geringe Gatter-Ladung der Geräte führen zu äußerst geringen Leitungs- und Schaltverlusten, was in einer Energieersparnis in Hochstrom, Hochleistungs- und Schaltmodus-Anwendungen resultiert. Die Serie basiert auf der Superjunction-Technologie der E-Serie , ist Avalanche-Energie-bewertet (UIS) und in TO-220-, TO-263-, TO-220F- und TO-247AC-Gehäusen erhältlich.
Weitere Informationen

Ergebnisse: 31
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
7 426Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 516Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
Datenblatt
1 042Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
Datenblatt
1 695Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
461Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
289Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
1 938Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
Datenblatt
1 710Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Datenblatt
950Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
475Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Datenblatt
2 873Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
Datenblatt
409Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Datenblatt
2 927Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Datenblatt
835Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Datenblatt
2 996Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
440Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Datenblatt
944Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 387Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 620Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
332Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Datenblatt
59Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Datenblatt
953erwartet ab 21.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
Datenblatt
500Auf Lager verfügbar
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 600V
Datenblatt
5 000Auf Lager verfügbar
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube