CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung VGS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
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188Auf Lager
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Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
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215Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
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188Auf Lager
960Auf Bestellung
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Through Hole PG-TO247-4-U07 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
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172Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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1 453Auf Lager
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: 750

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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556Auf Lager
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1.2 kV
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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118Auf Lager
5 250Auf Bestellung
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: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 1.2 kV 257 A 7.5 mOhms 4.2 V + 175 C - 55 C 1.172 kW CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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573Auf Lager
3 000erwartet ab 26.11.2026
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CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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1 774Auf Lager
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SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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1 111Auf Lager
750Auf Bestellung
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SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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951Auf Lager
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: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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2 299Auf Lager
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: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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277Auf Lager
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Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
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235Auf Lager
960Auf Bestellung
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
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384Auf Lager
720Auf Bestellung
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
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1 335Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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699Auf Lager
240erwartet ab 01.10.2026
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
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632Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
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740Auf Lager
2 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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324Auf Lager
750erwartet ab 05.11.2026
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: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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692Auf Lager
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: 750

1.2 kV
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
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540Auf Lager
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1.2 kV
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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47Auf Lager
480Auf Bestellung
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Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
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86Auf Lager
960Auf Bestellung
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
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177Auf Lager
2 000Auf Bestellung
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement