IS61WV25616FBLL Serie SRAM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 4Mb 256Kx16 10ns 2.4-3.6V Async SRAM
Datenblatt
2 027Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
375Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 141

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel