GS88018CGT Serie SRAM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
93Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 120 mA, 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 135 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 105 mA, 115 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 155 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 115 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 145 mA, 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 66
Mult.: 66

9 Mbit 512 k x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 125 mA, 165 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 205 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

9 Mbit 512 k x 18 5 ns 300 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 170 mA, 225 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 36
Mult.: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 165 mA, 220 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 36
Mult.: 36

9 Mbit 512 k x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 185 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray