CY62157ELL Serie SRAM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
Datenblatt
251Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
Datenblatt
422Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Rolle: 2 000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 400
Mult.: 2 400

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Tray