Infineon CoolSiC G2 Serie SiC-MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Datenblatt
187Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Datenblatt
66Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
133Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
Datenblatt
70Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
28Auf Lager
750erwartet ab 26.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
118Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
138Auf Lager
1 000erwartet ab 23.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
119Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
1 020Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 840 V 198 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
Datenblatt
140Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
Datenblatt
376Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 403 A 10.4 mOhms - 10 V, 25 V 5.1 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
1 015Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C +175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
1 025Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V,+ 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
1 025Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
1 010Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, + 23V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
225Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Datenblatt
209Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
207Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
238Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
224Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Datenblatt
25Auf Lager
240erwartet ab 27.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC