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IMZC120R007M2HXKSA1

Name: Infineon IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZC120R007M2HXK
Price: 32.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMZC120R007M2HXK

Herst.- Nr.:

IMZC120R007M2HXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

IMZC120R007M2HXKSA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	PG-TO247-4-U07
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	201 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.1 V
Qg - Gate-Ladung:	176 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	711 W
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Enhancement
Abfallzeit:	33.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	60 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	21.5 ns
Serie:	CoolSiC G2
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	76.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	32.4 ns
Artikel # Aliases:	IMZC120R007M2H SP006031756

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Datenblatt

IMZC120R007M2HXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung V_GS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.