IXYS SiC-MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
IXYS SiC-MOSFETs 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L
Datenblatt
63Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 (TO-263-7) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.4 A 750 mOhms - 20 V, + 20 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in ISO247-4L
Datenblatt
390Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs SiC MOSFET in ISO247-4L
Datenblatt
400Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs TO268 1.2KV 90A SIC POWER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 92 Wochen
Min.: 30
Mult.: 30

SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1.2 kV 90 A 34 mOhms - 20 V, + 20 V 2 V - 40 C + 150 C