GT30J121(Q)

Name: Toshiba GT30J121(Q)
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT30J121(Q)
Price: 3.65 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-GT30J121(Q)

Herst.- Nr.:

GT30J121(Q)

Herst.:

Toshiba

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	30 A
Pd - Verlustleistung:	170 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	GT30J121
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Kollektorgleichstrom Ic max.:	30 A
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	100
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6,756 g