SiC-MOSFETs

Littelfuse SiC-MOSFETs sind für hocheffiziente Hochfrequenzapplikationen optimiert. Diese robusten SiC-MOSFETs sind in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und bieten einen extrem niedrigen On-Widerstand. Littelfuse bietet intern entwickelte und hergestellte SiC-MOSFETs mit extrem niedriger Gate-Ladung und Ausgangskapazität, branchenführender Leistungsfähigkeit und Robustheit bei allen Temperaturen und mit extrem niedrigem On-Widerstand. Jetzt als 80mOhm-, 120mOhm- und 160mOhm-Versionen mit 1.200 V verfügbar.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus

IXYS SiC-MOSFETs 1200V 80mOhm SiC MOSFET
Datenblatt
4 196Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 95 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement

IXYS SiC-MOSFETs 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
Datenblatt
548Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 22 A 200 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V 57 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
Datenblatt
1 927Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement