1200 V CoolSiC™-M1H-Module

Infineon Technologies 1.200 V CoolSiC™ M1H Module bieten Entwicklern von EV-Ladegeräten und anderen Wechselrichter die Möglichkeit, um nie dagewesene Effizienz und Leistungsdichten-Niveaus zu erreichen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
Infineon Technologies MOSFET-Module 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 150 C M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 6 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW CoolSiC Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
Datenblatt
30Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Press Fit N-Channel 1.2 kV 40 A - 10 V, 23 V 5.15 V 20 mW EasyPACK 2B Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module EASY
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Datenblatt
16Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray

Infineon Technologies MOSFET-Module Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Datenblatt
36Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET-Module CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray