Diskrete Halbleitermodule

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Typ
Technologie
Vf - Durchlassspannung
Vr - Sperrspannung
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount SP3F - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount SP3F - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
Datenblatt
7Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 2

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount SP3F - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2
Mult.: 2

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 3

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C