MSCSM120HM31CT3AG

Microchip Technology
494-120HM31CT3AG
MSCSM120HM31CT3AG

Herst.:

Beschreibung:
Diskrete Halbleitermodule PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: Diskrete Halbleitermodule
RoHS:  
MOSFET-SiC SBD Modules
Full Bridge
SiC
1.5 V
1.2 kV
- 10 V, + 25 V
Screw Mount
SP3F
- 40 C
+ 125 C
Bulk
Marke: Microchip Technology
Abfallzeit: 25 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 89 A
Pd - Verlustleistung: 395 W
Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 31 mOhms
Anstiegszeit: 30 ns
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 30 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 1.8 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99