1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit Schalldioden

Die 1200-V-Trench-XPT™-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) und Schalldioden von Littelfuse werden mit der XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und den Trench-IGBT-Verfahren entwickelt. Die Transistoren verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand und sind für geringe Schaltverluste optimiert. Die 1200-V-Trench-XPT-IGBTs mit Schalldioden von Littelfuse bieten eine hohe Strombelastbarkeit, eine hohe Leistungsdichte und eine antiparallele Schalldiode. Diese Trench-XPT-Transistoren eignen sich hervorragend für Wechselrichter, Motorantriebe, Blindleistungskompensations-Schaltungen (Power Factor Correction, PFC) und Batterieladegerät-Applikationen.