1200 V 3-stufige IGBT-Module

Die 1200 V 3-stufigen-IGBT-Module von Infineon Technologies bieten elektrische Leistung und hohe Zuverlässigkeit ohne Einschränkung der Designflexibilität. Die IGBT-Module decken einen Bereich von wenigen hundert Watt bis zu mehreren Megawatt ab. Die 1200 V IGBT-Module sind für 3-stufige-Anwendungen konzipiert.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Pd - Verlustleistung Verpackung/Gehäuse Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A 3-level IGBT module 167Auf Lager
168erwartet ab 25.02.2026
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IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 215 W EasyPack1B - 40 C + 150 C Tray


Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 400 A 3-level IGBT module 4Auf Lager
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IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 880 mV 255 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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Tray
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 200 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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Tray