EPC GaN FETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Kanalmodus
Handelsname
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Datenblatt
1 750Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
Datenblatt
700Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
Datenblatt
5 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
Datenblatt
8 900Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Datenblatt
14 900Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Datenblatt
14 784Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
Datenblatt
2 455Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
Datenblatt
990Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
Datenblatt
4 677Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
Datenblatt
12 500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Datenblatt
6 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Datenblatt
1 960Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 3.3 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Datenblatt
12 470Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
Datenblatt
4 900Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
Datenblatt
12 462Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
Datenblatt
12 467Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Datenblatt
9 130Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Datenblatt
12 440Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Datenblatt
20 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Datenblatt
12 227Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 0.5 A 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
Datenblatt
7 500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
Datenblatt
5 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
Datenblatt
12 500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
Datenblatt
12 500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
Datenblatt
2 480Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET