MOSFET HF-Transistoren

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Toshiba MOSFET HF-Transistoren Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

N-Channel Si 100 mA 20 V 520 MHz 13 dB 200 mW SMD/SMT SOT-343-4 Reel
Toshiba MOSFET HF-Transistoren Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
Rolle: 50

N-Channel Si 2.6 A 105 V 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.2 dB 700 W - 55 C + 150 C SMD/SMT NI-780GS-4L Reel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren MV9 55W 12.5V TO270WB4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren MV9 800MHZ13.6V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
Rolle: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren VHV6 250W 50V NI780H
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
Rolle: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren VHV6 1400MHZ 50V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50
Rolle: 50

N-Channel Si 100 V 1.2 GHz to 1.4 GHz 18 dB 330 W + 150 C SMD/SMT NI-780S Reel
NXP Semiconductors MOSFET HF-Transistoren VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 150
Mult.: 150
Rolle: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
MACOM MOSFET HF-Transistoren Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

N-Channel Si 6 mA 65 V 2 MHz to 175 MHz 13 dB 120 W SMD/SMT
MACOM MOSFET HF-Transistoren 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
Datenblatt
Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 65 V 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM MOSFET HF-Transistoren 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20

N-Channel Si 13 A 65 V 500 MHz 8.8 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 333-04 Tray
MACOM MOSFET HF-Transistoren 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 20
Mult.: 20
N-Channel Si 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro MOSFET HF-Transistoren Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon MOSFET HF-Transistoren ART150PEG/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren ART150PE/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
Rolle: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren ART1K6FHG/SOT1248/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren ART1K6FHS/SOT539/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren ART1K6PHG/1/OMP-1230/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren ART1K6PHG/1/OMP-1230/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
Rolle: 60

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren ART1K6PH/1/OMP-1230/REEL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
Rolle: 100

LDMOS 177 V 1 MHz to 450 MHz 27.3 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT Reel