Bulk DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Datenblatt
378Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 33

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async EDO DRAM
Datenblatt
484Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 78

EDO DRAM 16 Mbit 16 bit TSOP-II-44 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16100D Bulk
ISSI DRAM 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile SDRAM
Datenblatt
279Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 9

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
Micron DRAM 256GB CXL CXL COMMERCIAL
Produkt-Kommentare
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 6

Bulk
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async FP DRAM
Datenblatt
98Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 6

FPM DRAM 16 Mbit 16 bit TSOP-II-44 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16105D Bulk
AP Memory NRE-TI-RDL- APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 7 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 300 MHz WBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC36800 Bulk
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD16128B Bulk
ISSI DRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 16 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD16128B Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk