HyperRAM® mit geringem Stromverbrauch

Der stromsparende Winbond HyperRAM® ist ein mobiler DRAM mit einem Hochgeschwindigkeits-SDRAM-Bauteil, das intern als 8-Bank-Speicher konfiguriert ist und eine DDR-Architektur (Double Data Rate, DDR) auf dem Befehls-/Adressbus (CA) verwendet. Dieser HyperRAM verfügt über eine niedrige Pinzahl, einen geringen Stromverbrauch und eine einfache Steuerung zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit von Endgeräten. Die neuen IoT-Edge- und Mensch-Maschine-Schnittstellen-Bauteile erfordern neue Funktionen in Bezug auf Größe, Stromverbrauch und Leistung. Diese HyperRAM-Speicherbausteine bieten neue technische Lösungen und sind für den schnellen Aufschwung neuer IoT-Edge- und Mensch-Maschine-Schnittstellen-Bauteile ausgelegt. Diese HyperRAMs bieten eine Leistung von 45 mW bei 1,8 V im Hybrid-Schlafmodus, der sich erheblich vom Standby-Modus des SDRAM unterscheidet. Der HyperRAM unterstützt die HyperBus-Schnittstelle und ist eine Lösung für den schnellen Aufschwung von Fahrzeugelektronik, Industrie 4.0 und Smart-Home-Applikationen.

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 3.0V
Datenblatt
340Auf Lager
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 100

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R
Datenblatt
2 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 100
: 2 000

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 16 M x 8 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape