APSx Double-Data-Rate Octal SPI PSRAMs

AP Memory APSx Double-Data-Rate (DDR) Octal SPI PSRAMs feature a 1.62VDD to 1.98VDD single supply voltage range, clock rate up to 200MHz (400MBps read/write throughput), and software reset. These devices also feature Data Mask (DM) for a write operation, a Data Strobe (DQS) for a high-speed read operation, and an output driver LVCMOS with programmable drive strength. The Octal SPI with DDR OctaRAM mode PSRAMs are byte-addressable and operate between -40°C to 85°C temperature range. These devices are available in mini-BGA 24L 6mm x 8mm x 1.2mm package.

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
568Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
3 035Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
859Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray