BM3G005MUV-LBE2

Name: ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM3G005MUV-LBE2
Price: 13.88 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-BM3G005MUV-LBE2

Herst.- Nr.:

BM3G005MUV-LBE2

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

GaN FETs PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5m, Low Side Nch

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

BM3G005MUV-LBE2 Datenblatt

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-46
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	68.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 105 C
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	Nano Cap; EcoGaN
Marke:	ROHM Semiconductor
Abfallzeit:	2.7 ns
Maximale Betriebsfrequenz:	2 MHz
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	GaN HEMT Power Stage
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	5 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	Si
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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