ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor entwickelt und fertigt Halbleiter, integrierte Schaltkreise und andere elektronische Bauteile für die Märkte für drahtlose Kommunikation, Computer, Fahrzeug und Unterhaltungselektronik. Das Produkt-Portfolio von ROHM Semiconductor umfasst Audio/Video-ICs, drahtlose Audio-Links, Bild-Sensoren, diskrete Rauschschutzbauelemente, Speicherprodukte mit Doppelzellen-Technologie, energieeffiziente Leistungsmanagement-Bauelemente und LEDs.
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ROHM Semiconductor LMRx802-LB OperationsverstärkerDer Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.24.11.2025 -
ROHM Semiconductor RPR-0730 FotoreflektorAnaloger optischer Sensor mit einem Infrarot-VCSEL (IrVCSEL) und einem Fototransistor.06.11.2025 -
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICsVerfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.03.11.2025 -
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETsDiese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.17.10.2025 -
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für FahrzeuganwendungenAEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.16.10.2025 -
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICsFür kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.26.09.2025 -
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 EvaluierungsboardDas Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.27.08.2025 -
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 EvaluierungsboardWurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.27.08.2025 -
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im AutomobilstandardDioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle FreilaufdiodeEine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETEin mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETsDie Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETsN-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.21.08.2025 -
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-DiodeBietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.20.08.2025 -
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMsDiese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-DiodenDie in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet19.08.2025 -
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFETEin Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETsBei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETEin Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETsAEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID19.08.2025 -
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFETEin MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETEin MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETEin MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETMOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.19.08.2025 -
ROHM Semiconductor LogiCoA003-EVK-001 EvaluierungsboardEntwickelt, um das Betriebsverhalten von LogiCoA™ Lösungen zu evaluieren und zu demonstrieren.08.08.2025