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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Datenblatt
40 949Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
3 993Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
Datenblatt
2 289Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
Datenblatt
129Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
873Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Datenblatt
1 363Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
Datenblatt
569Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
Datenblatt
2 000Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
Datenblatt
1 582Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Datenblatt
4 168Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
529Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
137Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
Datenblatt
416Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Datenblatt
42Auf Lager
500erwartet ab 02.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
42Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
23Auf Lager
2 500erwartet ab 23.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
Datenblatt
31Auf Lager
240erwartet ab 28.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
Datenblatt
235Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
Datenblatt
276Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
70Auf Lager
500erwartet ab 30.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
348Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
Datenblatt
508Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Datenblatt
387erwartet ab 16.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube