DSC1001 Präzisions-CMOS-Oszillatoren für geringe Stromstärken

Die Präzisions-CMOS-Oszillatoren DSC1001 für geringe Stromstärken von Microchip sind MEMS-basierte Silizium-CMOS-Oszillatoren. Diese Oszillatoren bieten eine hervorragende Jitter- und Stabilitätsleistung über einen weiten Bereich von Versorgungsspannungen und Temperaturen. Jedes Bauteil arbeitet von 1 bis 150 MHz mit Versorgungsspannungen zwischen 1,8 und 3,3 V und Temperaturbereichen von bis zu -40° C bis 105° C. Der DSC1001 verfügt über einen Silizium-Resonator, der extrem robust und nahezu immun gegen stressbedingte Frakturen ist, die für kristallbasierte Oszillatoren üblich sind. Ohne Einbußen bei der Leistungsfähigkeit und Stabilität, die heutige Systeme erfordern, ermöglicht ein quarzfreies Design ein höheres Maß an Zuverlässigkeit. Dadurch eignen sich diese Oszillatoren ideal für robuste, industrielle und tragbare Applikationen, bei denen Belastung, Stöße und Erschütterungen quarzkristallbasierte Systeme beschädigen können.
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Frequenz
Frequenzstabilität
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Versorgungsspannung - Max.
Ausgabeformat
Nennstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 4.9152MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
2 000erwartet ab 23.04.2026
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Rolle: 1 000

CDFN-4 4.9152 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 33.33MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
2 000erwartet ab 23.04.2026
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 33.33 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 64MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
2 000Auf Bestellung
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 64 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 4MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
1 000erwartet ab 28.05.2026
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 4 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
1 000erwartet ab 23.03.2026
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Rolle: 1 000

CDFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 10PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm
Datenblatt
983erwartet ab 28.05.2026
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

CDFN-4 25 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS OSC, LVCMOS, 33.3333MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 3.2 x 2.5mm
Datenblatt
Vorlaufzeit 11 Wochen
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Rolle: 1 000

CDFN-4 33.3333 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
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DFN-4 1.485 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
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Rolle: 1 000

DFN-4 4 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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DFN-4 18.1059 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
Datenblatt
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Min.: 1 000
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DFN-4 18.1059 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 650
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DFN-4 49.152 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
Datenblatt
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Rolle: 1 000

DFN-4 49.152 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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DFN-4 98 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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DFN-4 98 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 550
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DFN-4 99 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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DFN-4 99 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
Datenblatt
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DFN-4 48 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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DFN-4 48 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
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DFN-4 80 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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DFN-4 148.5 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
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Rolle: 1 000

DFN-4 148.5 MHz 25 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 4 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 12 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology Oszillatoren von MEMS MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Rolle: 1 000

DFN-4 20 MHz 10 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001