1200 V 3-stufige IGBT-Module

Die 1200 V 3-stufigen-IGBT-Module von Infineon Technologies bieten elektrische Leistung und hohe Zuverlässigkeit ohne Einschränkung der Designflexibilität. Die IGBT-Module decken einen Bereich von wenigen hundert Watt bis zu mehreren Megawatt ab. Die 1200 V IGBT-Module sind für 3-stufige-Anwendungen konzipiert.

Arten von diskreten Halbleitern

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Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A 3-level IGBT module 167Auf Lager
168erwartet ab 25.02.2026
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IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies IGBT-Module 650 V, 400 A 3-level IGBT module 4Auf Lager
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IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module 6Auf Lager
24erwartet ab 13.02.2026
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 400 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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Mult.: 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 25 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 200 A 3-level IGBT module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
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Mult.: 15

IGBT Modules Si