RQxAT P-Kanal-MOSFETs

P-Kanal-MOSFETs RQxAT von ROHM Semiconductor  verfügen über eine Gehäuse für Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft. Diese P-Kanal-MOSFETs bieten eine Gate-Source-Spannung von ±20 V. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT verfügen über einen maximalen Drain-Source-On-Widerstand von 240 mΩ bzw. 99 mΩ. Diese P-Kanal-MOSFETs sind RoHs-konform und halogenfrei. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT bieten eine Drain-Source-Spannung von -80 V bzw. -60 V. Diese P-Kanal-MOSFETs arbeiten im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C. Typische Applikationen umfassen Schalt- und Motorantriebe.