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RQ5L030ATTCL

Name: ROHM Semiconductor RQ5L030ATTCL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ5L030ATTCL
Price: 0.73 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RQ5L030ATTCL

Herst.- Nr.:

RQ5L030ATTCL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

RQ5L030ATTCL Datenblatt

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 0,731	€ 0,73
	€ 0,455	€ 4,55
	€ 0,295	€ 29,50
	€ 0,225	€ 112,50
	€ 0,203	€ 203,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,175	€ 525,00
	€ 0,161	€ 966,00
	€ 0,151	€ 1 359,00
	€ 0,143	€ 3 432,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-346T-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	99 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	17.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	84 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RQxAT P-Kanal-MOSFETs

P-Kanal-MOSFETs RQxAT von ROHM Semiconductor verfügen über eine Gehäuse für Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft. Diese P-Kanal-MOSFETs bieten eine Gate-Source-Spannung von ±20 V. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT verfügen über einen maximalen Drain-Source-On-Widerstand von 240 mΩ bzw. 99 mΩ. Diese P-Kanal-MOSFETs sind RoHs-konform und halogenfrei. Die MOSFETs RQ3N025AT und RQ5L030AT bieten eine Drain-Source-Spannung von -80 V bzw. -60 V. Diese P-Kanal-MOSFETs arbeiten im Temperaturbereich von -55°°C bis 150°°C. Typische Applikationen umfassen Schalt- und Motorantriebe.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.