U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba  U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind  100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile zeichnen sich  durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mit proprietärer Technologie und einem Cu-Steckverbinder aus. Sie verfügen über einen begrenzten Gate-Schwellenspannungsbereich von 2,5 V bis 3,5 V, der die Schaltzeittoleranz reduziert.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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2 370Auf Lager
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Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 122 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs TSON N-CH 60V 20A
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Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 23.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
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5 950Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 6.11 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4 851Auf Lager
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 52 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs PD=46W F=1MHZ AEC-Q101
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2 860Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 6.11 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 60 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 51 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs PD=65W F=1MHZ AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 38 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 20.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.5 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 76 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=2.3mohm(max)
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 92 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 58 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 770 uOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 74 nC + 150 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 100 V 70 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 36.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 2 Channel 100 V 3.5 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.6 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel