IXYK140N120A4

IXYS
747-IXYK140N120A4
IXYK140N120A4

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4

Datenblatt:
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IXYS
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-264-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.7 V
- 20 V, 20 V
480 A
1.5 kW
- 55 C
+ 175 C
Trench
Tube
Marke: IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.: 480 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 25
Unterkategorie: IGBTs
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Datenblatt

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

XPT™ GenX4™ Trench-IGBTs von 650 V bis 1.200 V

IXYS Trench 650 V bis 1.200 V XPT™ GenX4™IGBTs werden mit einer proprietären XPT-Dünnwafer-Technologie und einem hochmodernen Trench-IGBT-Prozess der 4. Generation (GenX4 ™) entwickelt. Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate zeichnen sich durch reduzierte thermischer Widerstand, geringe Energieverluste, schnelles Schalten, niedrige Nachlaufstrom und Hochstromdichten aus. Die Bauteile zeichnen sich durch eine außergewöhnliche Robustheit während des Schaltens und unter Kurzschlussbedingungen aus.

IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBTs

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650V XPT™ High Speed Trench IGBTs

IXYS 650V XPT™ High Speed Trench IGBTs are designed to minimize conduction and switching losses, especially in hard-switching applications. IXYS 650V XPT High Speed Trench IGBTs are optimized for different switching speed ranges (up to 60kHz). Devices co-packed with IXYS ultra-fast Sonic-FRD™ diodes are also available. The current ratings of devices in this product family range from 30A to 200A at a high temperature of +110°C. These devices feature reduced thermal resistance, low energy losses, fast switching, low tail current, and high current densities. In addition, they display exceptional ruggedness under short-circuit conditions - a 10μs Short Circuit Safe Operating Area (SCSOA).

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