IXYS IXGA20N250HV Hochspannungs-IGBT
IXYS IXGA20N250HV Hochspannungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bietet einen quadratischen Reverse Bias Safe Operating Area (RBSOA) und 10 µs Kurzschlussfestigkeit. Der IXGA20N250HV bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 2500 V, einen Kollektorstrom von 12 A bei +110 °C und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 3,1 V. Das Bauteil hat einen positiven Temperaturkoeffizienten von VCE(sat) ideal für die Parallelschaltung.
Der IGBT IXGA20N250HV ermöglicht ein einziges Bauteils in Systemen, deren Schaltungen bisher mehrere kaskadierte Niederspannungsschalter verwendeten. Eine solche Bauteil-Konsolidierung reduziert die Anzahl der Leistungsbauteile und verbessert die Kosten und die Effizienz, da komplexe Antriebs- und Spannungsausgleichskomponenten entfallen. In Systemen, deren Schaltungen bisher Hochspannungs-SCRs verwendet haben, bietet dieser Hochspannungs-IGBT dem Entwickler einen echten Schalter, mit dem sich Signalmodulationsschemata leicht umsetzen lassen. Diese Fähigkeit verbessert die Effizienz, vereinfacht die Wellenformung und ermöglicht die Abschaltung von Lasten zur Verbesserung der Systemsicherheit. Herkömmliche Hochspannungs-EMRs und Entladungsrelais können ebenfalls ersetzt werden, was die Systemkomplexität verringert und die Gesamtzuverlässigkeit verbessert.
Der IXYS IXGA20N250HV Hochspannungs-IGBT wird in einem TO-263HV-Gehäuse nach Industriestandard angeboten und verfügt über einen Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.
Merkmale
- TO-263HV-Gehäuse nach Industriestandard
- Hochspannungsgehäuse
- Elektrisch isolierte Lasche
- Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
- Geringe Sättigungsspannung
- Das Epoxidharz für den Guss entspricht der Entflammbarkeitsklassifizierung UL 94 V-0{sp}
Applikationen
- Impulsgeberschaltungen
- Kondensator-Entladeschaltungen
- Hochspannungs-Netzteile
- Hochspannungs-Testgeräte
- Laser und Röntgengeneratoren
Technische Daten
- 2500 V Kollektor-Emitter-Spannung (VCES)
- 2500 V Kollektor-Gate-Spannung (VCGR)
- ±20 V Gate-Emitter-Spannung (VGES)
- ±30 V Gate-Emitter-Spannungstransiente (VGEM)
- 150 W Kollektor-Verlustleistung (PC)
- 30 A Kollektorstrom bei +25 °C (IC25)
- 12 A Kollektorstrom bei +110 °C (IC110)
- 3,10 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
- 0,83 °C/W Wärmewiderstand des Anschlussgehäuses (RthJC)
- -55 °C bis +150 °C Sperrschichttemperaturbereich (Tj)
Pin-Bezeichnungen und Schaltplan
Gehäuseabmessungen
