IXXH100N60C3

IXYS
747-IXXH100N60C3
IXXH100N60C3

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp

Datenblatt:
ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247AD
Through Hole
Single
600 V
2.2 V
- 20 V, 20 V
190 A
830 W
- 55 C
+ 150 C
IXXH100N60
Tube
Marke: IXYS
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
Kriechstrom Gate-Emitter: 100 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: XPT
Gewicht pro Stück: 6,500 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Discrete 600V XPT IGBTs

IXYS Discrete 600V XPT Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are highly rugged, low loss semiconductor devices that are easily configured in parallel. Developed using IXYS' extreme light punch through (XPT) design platform, these new devices feature excellent electrical characteristics which include low typical Vcesat, low typical current fall times, and low typical turn-off energy per pulse values.

Medizintechnik-Lösungen

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