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FS1150R08A8P3CHPSA1

Name: Infineon FS1150R08A8P3CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS1150R08A8P3CHP
Price: 495.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS1150R08A8P3CHP

Herst.- Nr.:

FS1150R08A8P3CHPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FS1150R08A8P3CHPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Produkt:	Power Modules
Typ:	Drive G2 Module
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.76 V
Vr - Sperrspannung:	400 V
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	DIP-7
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 V
Serie:	HybridPACK
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Sixpack
Abfallzeit:	91 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	600 A
Pd - Verlustleistung:	1 kW
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Anstiegszeit:	50 ns
Verpackung ab Werk:	6
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Regelabschaltverzögerungszeit:	929 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	222 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.8 V
Artikel # Aliases:	FS1150R08A8P3C SP006071554

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Datenblatt

FS1150R08A8P3CHPSA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Module

Die HybridPACK ™ Drive G2 Module von Infineon Technologies sind kompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid - und Elektrofahrzeugen. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Leistungsniveaus unter Verwendung von Si- oder SiC-Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Die im Jahr 2017 eingeführte Modul mit Silizium-EDT2-Technologie wurde für mehr Effizienz im realen Fahrbetrieb optimiert. Im Jahr 2021 wurde eine CoolSiC™ -Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und bessere Leistung bietet. Im Jahr 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3- (Si IGBT) und CoolSiC™ G2-MOSFET-Technologien auf den Markt gebracht, die eine einfache Nutzung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bietet und eine Leistung von bis zu 300 kW in den Klassen 750 V und 1.200 V ermöglicht.