IXYX100N120C3

IXYS
747-IXYX100N120C3
IXYX100N120C3

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT

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IXYS
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-PLUS-3
Through Hole
Single
1.2 kV
3.5 V
- 20 V, 20 V
195 A
1.15 kW
- 55 C
+ 175 C
IXYX100N120C3
Tube
Marke: IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.: 188 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 100 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: XPT
Gewicht pro Stück: 38 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V XPT™ High Speed IGBTs

IXYS 1200V XPT™ High Speed IGBTs are high speed, high-gain 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor products. The 1200V XPT High Speed IGBTs feature high current ratings (105A to 160A, Tc = 25°C) and are specifically optimized for reduced switching losses in high voltage applications that require hard-switching frequencies of up to 50kHz. IXYS 1200V XPT High Speed IGBTs have high-speed switching capabilities that allow customers to boost the power conversion efficiency of their designs and to use smaller, lighter and more cost-effective passive components. The resultant effect is a reduction in total system cost of ownership for these 1200V XPT High Speed IGBTs and a reduced PCB layout area.

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