IXYK85N120C4H1

IXYS
576-IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs IXYK85N120C4H1

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IXYS
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-264-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2 V
- 20 V, 20 V
220 A
1.15 kW
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.: 220 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 100 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 25
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: XPT
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit Schalldioden

Die 1200-V-Trench-XPT™-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) und Schalldioden von Littelfuse werden mit der XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und den Trench-IGBT-Verfahren entwickelt. Die Transistoren verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand und sind für geringe Schaltverluste optimiert. Die 1200-V-Trench-XPT-IGBTs mit Schalldioden von Littelfuse bieten eine hohe Strombelastbarkeit, eine hohe Leistungsdichte und eine antiparallele Schalldiode. Diese Trench-XPT-Transistoren eignen sich hervorragend für Wechselrichter, Motorantriebe, Blindleistungskompensations-Schaltungen (Power Factor Correction, PFC) und Batterieladegerät-Applikationen.

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