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IXYA20N65C3D1

Name: IXYS IXYA20N65C3D1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYA20N65C3D1
Price: 3.7 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXYA20N65C3D1

Herst.- Nr.:

IXYA20N65C3D1

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2

Datenblatt:

IXYA20N65C3D1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.27 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Pd - Verlustleistung:	200 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	105 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	IGBTs

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IXYA20N65C3D1 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

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