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IXBT42N170

Name: IXYS IXBT42N170
Brand: IXYS
SKU: 747-IXBT42N170
Price: 31.15 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXBT42N170

Herst.- Nr.:

IXBT42N170

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

IGBTs BIMOSFET 1700V 75A

Datenblatt:

IXBT42N170 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.7 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.8 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	360 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	IXBT42N170
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Kollektorgleichstrom Ic max.:	75 A
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	BIMOSFET
Gewicht pro Stück:	4,500 g

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JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXBH42N170 & IXBT42N170 IGBT Power Transistors

IXBH42N170 and IXBT42N170 IGBT Power Transistors are BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistors featuring high blocking voltage, fast switching, a high current handling capability, and MOS Gate turn-on for drive simplicity. IXYS IGBT Power Transistors are useful for a wide variety of applications, including AC motor speed control, uninterruptible power supplies (UPS), switched-mode and resonant-mode power supplies, capacitor discharge circuits, laser generators, AC switches, and pulser circuits.

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