Vishay / Siliconix SiR870DP 100V Leistungs-MOSFETs

Vishay Siliconix SiR870DP 100V n-Kanal-TrenchFET® Leistungs-MOSFETs verfügen mittels ThunderFET® Technolgie über den branchenweit niedrigsten On-Widerstand von 7,8mO bei 4,5V. Der Vishay Siliconix SiR870DP bietet auch einen sehr niedrigen On-Widerstand von 6mO bei 10V. Diese Vishay Siliconix ThunderFET-Bauteile verfügen außerdem über den branchenweit niedrigsten 208mO-nC FOM-Wert (Figure of Merit) bei 4,5V. Der niedrige On-Widerstand führt zu niedrigeren Leitungsverlusten und verringertem Stromverbrauch für eine energiesparende, umweltfreundliche Lösung. SiR870DP 100V TrenchFET Leistungs-MOSFETs wurden für höhere Frequenzen und Schaltanwendungen entworfen.

These Vishay Siliconix ThunderFET devices also provide an industry-low 208 mΩ-nC figure of merit (FOM) at 4.5V. The low on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. SiR870DP 100V TrenchFET Power MOSFETs are designed for higher frequency and switching applications.

Merkmale

  • Low on-resistance of 7.8mΩ at 4.5V is the industry's lowest
  • Very low on-resistance of 6mΩ at 10V
  • Lower conduction losses and reduced power consumption for energy saving green solutions
  • Idustry-low 208mΩ-nC FOM at 4.5V
  • Package: PowerPAK SO-8
  • VDS (V) 100
  • VGS (V) ± 20

Applikationen

  • Fixed Telecom
  • DC/DC Converter
  • Primary and Secondary Side Switch