Vishay Semiconductors VEMD8083 Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodiode
Die Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodiode VEMD8083 von Vishay Semiconductors ist für präzise Lichterkennungsapplikationen ausgelegt. Die VEMD8083 von Vishay verfügt über ein kompaktes, oberflächenmontierbares Gehäuse in schwarzer Epoxid-Bauweise, das die Empfindlichkeit gegenüber sichtbarem und Nahinfrarotlicht erhöht und gleichzeitig Störungen durch Umgebungslicht minimiert. Mit ihrer schnellen Anschwingzeit und niedrigen Kapazität eignet sich die VEMD8083 hervorragend für optische Hochgeschwindigkeitsmessungen, medizinische Diagnostik und Industrieautomatisierung. Die optimierte spektrale Empfindlichkeit des Bauteils mit einer empfindlichen Fläche von 2,8 mm2 und der niedrige Dunkelstrom (10 nA) gewährleisten eine hohe Genauigkeit bei schwachen Lichtverhältnissen und machen es zu einer zuverlässigen Wahl für Fotodetektionsanwendungen, die Effizienz und Präzision erfordern.
Merkmale
- Oberflächenmontierbare Gehäuseausführung
- Gehäusetyp: Ansicht von oben
- Größe: 3,2 mm x 2.0 mm x 0,6 mm (LxBxH)
- Strahlungsempfindliche Fläche: 2,8 mm2
- Erhöhte Empfindlichkeit
- 0,9 V typische Durchlassspannung, maximal 1,3 V
- 20 V Sperrspannung
- Dunkelstrom im Sperrzustand: 10 nA
- Typische Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 940 nm
- Typischer spektraler Bandbreitenbereich: 350 nm bis 1.100 nm
- Anstiegs-/Abfallzeit: 30 ns
- Geeignet für sichtbare und kurzwellige Infrarotstrahlung
- Kompatibel mit Infrarot-Reflow-Lötverfahren
- Halbempfindlichkeitswinkel: φ = ±60°
- Lebensdauer: 168 Std., MSL3, gemäß J-STD-020
- -40 °C bis +85 °C Betriebstemperaturbereich
- Bleifrei, halogenfrei, umweltfreundlich und RoHS-konform
Applikationen
- Wearables
- Gesundheits-Monitoring
- Optische Sensorik
- Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren
- Industrieautomatisierung
Abmessungen
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Veröffentlichungsdatum: 2025-01-22
| Aktualisiert: 2025-01-28