Vishay TrenchFET® Gen IV MOSFETs mit doppelter Oberseitenkühlung

Vishay TrenchFET^® Gen IV MOSFETs mit doppelter Oberseitenkühlung verfügen über eine Oberseitenkühlung und bieten zusätzlichen Platz für die Wärmeübertragung. Diese MOSFETs sind im PowerPAK^®-SO-8DC-Gehäuse verfügbar. Die TrenchFET MOSFETs mit doppelter Kühlung bieten verschiedene Varianten mit Drain-Source-Durchschlagspannung von 25 V, 30 V, 40 V, 60 V, 80 V, 100 V, 150 V und 200 V. Diese n-Kanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Die TrenchFET-MOSFETs können für produktspezifische Applikationen, einschließlich Synchrongleichrichtung, DC/DC-Umwandlung, Netzteile, Batteriemanagement und weitere Applikationen verwendet werden.