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Vishay Si77 MOSFETs

Vishay Si77 MOSFETs verfügen über die monolithische SkyFET® TrenchFET® Gen III Technologie und integrierte Schottky-Dioden. Diese MOSFETs von Vishay sind hundertprozentig Rg- und UIS-getestet und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die MOSFETs sind gemäß der IEC 61249-2-21-Definition halogenfrei. Diese MOSFETs sind im PowerPAK® -Gehäuse untergebracht und verfügen über einen niedrigen thermischen Widerstand, eine kompakte Größe und ein schlankes 1,07 mm-Profil, wodurch sie sich hervorragend für Applikationen eignen, bei denen Platz und Wärmemanagement entscheidend sind.

Merkmale

  • SkyFET monolithischer TrenchFET Gen III Leistungs-MOSFET und Schottky-Diode
  • 100 % Rg- und UIS-getestet
  • Halogenfrei nach IEC 61249-2-21
  • PowerPAK-Gehäuse mit niedrigem thermischem Widerstand, kleiner Größe und niedrigem Profil von 1,07 mm

Applikationen

  • Notebooksystem-Leistung
  • Low-side in VCore, System und Speicher
  • DC/DC-Wandler
  • POL

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Veröffentlichungsdatum: 2024-01-04 | Aktualisiert: 2024-01-25