Vishay Integrierte MOSFETs mit Common-Drain
Vishay Integrierte MOSFETs mit Common-Drain verfügen über 1, 2 und 3 Kanäle und bieten eine Oberflächenmontage. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und n+p-Kanal-Optionen sowie einen Durchschlagspannungsbereich von 20 V bis 200 V. Die Anreischerungstyp-MOSFETs sind mit sechs oder 8 Pins ausgestattet und bieten einen Verlustleistungsbereich von 1,5 W bis 69,4 W und einen Drain-Source-Widerstand von 2,15 mΩ bis 26 mΩ.
Merkmale
- Betriebstemperatur: -55 ºC bis +150 ºC
- Montage: SMD
- Kanäle: 1, 2 oder 3
- Transistorart: n-Kanal, n-Kanal und p-Kanal
- VDS Drain-Source-Durchschlagspannung: 20 V bis 200 V
- VGS Gate-Source-Spannung: -16 V bis 20 V
- Rds Drain-Source-Einschaltwiderstand: 2,15 mΩ bis 26 mΩ
- Id Dauersenkenstrom: 8,5 A bis 60 A
- Abfallzeit: 12 us bis 510 ns
- Anstiegszeit: 3,5 us bis 330 ns
- Pd-Verlustleistung: 1,5 W bis 69,4 W
- Anreicherungstyp
- AEC-Q101-qualifiziert
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| Teilnummer | Datenblatt | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Pd - Verlustleistung | Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung | Id - Drain-Gleichstrom |
|---|---|---|---|---|---|
| SISF00DN-T1-GE3 |  |
4.2 mOhms | 69.4 W | 30 V | 60 A |
| SISF20DN-T1-GE3 | |
13 mOhms | 69.4 W | 60 V | 20 A |
| SISF04DN-T1-GE3 | |
4 mOhms | 69.4 W | 30 V | 108 A |
| SISF02DN-T1-GE3 | |
2.15 mOhms | 52 W | 30 V | 40 A |
| SI8902AEDB-T2-E1 | |
28 mOhms | 5.7 W | 24 V | 11 A |
| SQUN702E-T1_GE3 | |
9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms | 48 W, 60 W | 40 V, 200 V | 20 A, 30 A |
Veröffentlichungsdatum: 2019-05-14
| Aktualisiert: 2024-10-24