STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

Der IGBT STGWA30IH160DF2 der IH2-Serie mit 1600 V von STMicroelectronics wurde durch die Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt. Die Leistung ist sowohl bei Leitungs- als auch Schaltverlusten für eine weiche Kommutierung optimiert. Eine Freilaufdiode mit niedrigem Durchlass-Spannungsabfall ist enthalten. Der STGWA30IH160DF2 von STMicro ist speziell zur Maximierung des Wirkungsgrads für alle Resonanz- und Soft-Switching-Applikationen ausgelegt. Das Bauteil ist in einem TO-247-Gehäuse mit verlängerten Anschlüssen verfügbar.

Merkmale

  • Für eine weiche Kommutierung ausgelegt
  • Maximale Sperrschichttemperatur: TJ = 175 °C
  • VCE (sat) = 1,77 V (typ.) bei IC = 30 A
  • Reduzierter Nachlaufstrom
  • Strikte Parameterverteilung
  • Niedriger thermischer Widerstand
  • Gemeinsam gekapselte Diode mit sehr niedrigem Spannungsabfall und weicher Sperrverzögerung
  • Positiver VCE (sat) -Temperaturkoeffizient
  • TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung

Applikationen

  • Induktionserwärmung
  • Mikrowellenöfen
  • Resonanzwandler

Typische Applikation

Applikations-Schaltungsdiagramm - STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-15 | Aktualisiert: 2025-05-22