STMicroelectronics EVSTGAP2GS Demonstrationsboard

Das STMicroelectronics EVSTGAP2GS Demonstrationsboard ist zur Evaluierung des STGAP2GS isolierten Einzel-Gate-Treibers ausgelegt. Der STGAP2GS umfasst eine 2 A Quellen-/3A-Senkenfähigkeit und Rail-to-Rail-Ausgänge. Diese Funktionen machen das Bauteil ideal für Wechselrichterapplikationen mit mittlerer und hoher Leistung. Das Bauteil optimiert die Einschalt- und Ausschaltfunktion mit dedizierten gate-Widerständen unabhängig.

Das EVSTGAP2GS board von STMicro ermöglicht die Evaluierung aller STGAP2GS Optionen, die die SGT120R65AL 75 mΩ, 650 V E-Modus-GaN-Transistoren ansteuern. Die Board-Komponenten sind leicht zugänglich und modifiziert, wodurch die Evaluierung der Treiberleistung unter verschiedenen Applikationsbedingungen und die Feineinstellung der Endkomponenten vereinfacht wird.

Merkmale

  • Bauelement
    • Hochspannungsschiene bis zu 1200 V
    • 2A/3A Quelle/Senke bei +25 °C, VH = 6 V Treiberstrombelastbarkeit
    • Separate Senke und Quelle für eine einfache Gate-Treiber-Konfiguration
    • 45 ns Ein-/Ausgangs-Laufzeitverzögerung
    • UVLO-Funktion optimiert für GaN
    • Gate-Ansteuerspannung bis zu 15 V
    • 3,3 V, 5 V TTL/CMOS-Eingänge mit Hysterese
    • Übertemperaturschutz
  • Board
    • Halbbrückenkonfiguration, Hochspannungsschiene bis zu 650 V
    • SGT120R65AL mit 650 V, 75 mΩ typ., 15 A, E-Modus-PowerGaN-Transistor
    • Negativer Gate-Treiber
    • Integrierte isolierte DC/DC-Wandler zur Versorgung von High-Side- und Low-Side-Gate-Treibern, gespeist von VAUX = 5 V, mit einer maximalen Isolierung von 5,2 kV
    • VDD-Logik wird von den eingebauten 3,3 V oder VAUX = 5 V versorgt
    • Einfache Steckbrückenauswahl der Ansteuerspannungskonfiguration: + 6 V/0 V; + 6 V/-3 V

Komponentenplatzierung oben

Schaltungsanordnung - STMicroelectronics EVSTGAP2GS Demonstrationsboard
Veröffentlichungsdatum: 2023-06-20 | Aktualisiert: 2023-06-26