STMicroelectronics SCTx0N120 Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Die STMicroelectronics SCTx0N120 Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs werden mithilfe modernster und innovativer Materialien mit großer Bandlücke hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen On-Widerstand pro Flächeneinheit und einem sehr guten Schaltverhalten, das praktisch unabhängig von der Temperatur ist. Die überragenden thermischen Eigenschaften des SiC-Materials und das firmeneigene HiP247™-Gehäuse erlaubt es Designern, branchenübliche Gehäuseabmessungen mit deutlich verbesserter Wärmefähigkeit zu verwenden. Diese Merkmale machen die Bauteile perfekt für hocheffiziente Anwendungen und Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.