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ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA n-Kanal- Leistungs-MOSFET mit 190 V und 10 A

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 190 V und 10 A der Baureihe RD3S100AAFRA von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Der RD3S100AAFRA MOSFET kann einfach für den parallelgeschalteten Einsatz eingerichtet werden. Der RD3S100AAFRA Leistungs-MOSFET von ROHM ist für Schaltnetzteil-Applikationen ausgelegt.

Merkmale

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Hohe Schaltgeschwindigkeit
  • Die parallele Nutzung ist einfach
  • RoHS-konform
  • AEC-Q101 qualifiziert

Technische Daten

  • VDSS: 190 V
  • RDS (on): 182 mΩ (max.)
  • ID: ±10 A
  • PD: 85 W

Typische Applikation

Applikations-Schaltungsdiagramm - ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA n-Kanal- Leistungs-MOSFET mit 190 V und 10 A

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Veröffentlichungsdatum: 2020-09-15 | Aktualisiert: 2025-10-09