Qorvo QPD0005 GaN-HF-Transistoren
Qorvo QPD0005 GaN-HF-Transistoren sind diskrete Einzelpfad-GaN-auf-SiC-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) in einem umspritzten DFN-Gehäuse aus Kunststoff. Diese HF-Transistoren arbeiten über einen Frequenzbereich von 2,5 GHz bis 5 GHz. Die QPD0005 GaN-HF-Transistoren von Qorvo sind einstufige, unangepasste Transistoren, die PSAT von 8,7 W bei einem 48-V-Betrieb liefern können. Diese Transistoren sind in einem Gehäuse von 4,5 mm x 4,0 mm verfügbar und RoHs-konform. Zu den Applikationen gehören WCDMA/LTE, Makrozellen-Basisstation, Mikrozellen-Basisstation, Kleinzelle, aktive Antenne, massive 5G-MIMO- und Universal-Applikationen.Technische Daten
- Betriebsfrequenzbereich: 2,5 GHz bis 5 GHz
- Betriebs-Drain-Spannung: 48 V
- Maximale Ausgangsleistung (PSAT) bei 3,6 GHz: 8,7 W
- Maximaler Drain-Wirkungsgrad bei 3,6 GHz: 72,9 %
- Wirkungsgrad-abgestimmte P3dB-Gain bei 3,6 GHz: 18,8 dB
- 4,5 mm x 4,0 mm DFN-Gehäuse
Applikationen
- WCDMA/LTE
- Mikrozellen-Basisstation
- Mikrozellen-Basisstation
- Kleinzellen
- Aktive Antenne
- Massive 5G-MIMO
- Universal-Applikationen
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Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-22
| Aktualisiert: 2024-08-26
