onsemi NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs bieten 80 V, einen Einzel-n-Kanal und einen kleinen Footprint für ein kompaktes Design. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit Widerstandsbereichen von 2,1 mΩ, 2,8 mΩ und 3,7 mΩ verfügbar. Funktionen umfassen einen geringen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, einen geringen QG und eine niedrige Kapazität. Die NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs sind RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert. Diese Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben.
Merkmale
- Kleiner Footprint von 5 mm x 6 mm für ein kompaktes Design
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige QG und Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste
- Benetzbare Flankenoption (FW) für eine verbesserte optische Inspektion
- Werden bei einem Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben.
- AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig
- Diese Bauteile sind bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- Automotive
- DC-DC converters
- Point-of-Load (POL)
- Servers
Related Products
onsemi Trench8 MOSFETs
MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen RDS(ON), eine extrem geringe Qg und eine geringe Qg x RDS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM).
View Results ( 5 ) Page
| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H864NLT1G |  |
22 A | 29 mOhms | 9 nC | 33 W |
| NVMFS6H800NT1G | |
203 A | 2.1 mOhms | 85 nC | 200 W |
| NVMFS6H801NT1G | |
157 A | 2.8 mOhms | 64 nC | 166 W |
| NVMFS6H818NLT1G | |
135 A | 3.2 mOhms | 64 nC | 140 W |
| NVMFS6H818NT1G | |
123 A | 3.7 mOhms | 46 nC | 136 W |
Veröffentlichungsdatum: 2018-06-11
| Aktualisiert: 2022-10-21